0 0 0
  7. DMP2100UFU-7

Транзисторы многоканальные DMP2100UFU-7

 
DMP2100UFU-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000212
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -4,1А; 0,9Вт; U-DFN2030-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.04 грн
25+
16.05 грн
82+
12.28 грн
224+
11.57 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2520 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2030-6(1739416)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4,1А(1492348)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,9Вт(1742026)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы многоканальные DMP2100UFU-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000212
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -4,1А; 0,9Вт; U-DFN2030-6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.04 грн
25+
16.05 грн
82+
12.28 грн
224+
11.57 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2520 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2030-6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4,1А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g