0 0 0
  8. DMP21D6UFD-7

Транзистори з каналом P SMD DMP21D6UFD-7

 
DMP21D6UFD-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140603
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,25А; 0,4Вт; X1-DFN1212-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.59 грн
25+
4.75 грн
100+
4.19 грн
270+
3.64 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2880 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1212-3(1705815)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-0,25А(1643355)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g
 
Транзистори з каналом P SMD DMP21D6UFD-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140603
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,25А; 0,4Вт; X1-DFN1212-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.59 грн
25+
4.75 грн
100+
4.19 грн
270+
3.64 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2880 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1212-3
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-0,25А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g