0 0 0
  7. DMP58D0SV-7

Транзистори багатоканальні DMP58D0SV-7

 
DMP58D0SV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000216
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,16А; 0,4Вт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.09 грн
25+
10.51 грн
100+
9.35 грн
118+
8.42 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
-50В(1441470)
Струм стока
-0,16А(1740138)
Опір в стані провідності
8Ом(1441548)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні DMP58D0SV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000216
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -0,16А; 0,4Вт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.09 грн
25+
10.51 грн
100+
9.35 грн
118+
8.42 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
-50В
Струм стока
-0,16А
Опір в стані провідності
8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g