0 0 0
  8. DMT10H009LH3

Транзистори з каналом N THT DMT10H009LH3

 
DMT10H009LH3
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 662341
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 67А; Idm: 336А; 61Вт; TO251
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.00 грн
21+
48.28 грн
57+
45.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
67А(1479415)
Опір в стані провідності
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
61Вт(1601874)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20,2нКл(1801413)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
336А(1823194)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT DMT10H009LH3
DIODES INCORPORATED
Артикул: 662341
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 67А; Idm: 336А; 61Вт; TO251
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.00 грн
21+
48.28 грн
57+
45.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
THT
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
67А
Опір в стані провідності
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
61Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
336А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g