0 0 0
  7. ZXMC3F31DN8TA

Транзистори багатоканальні ZXMC3F31DN8TA

 
ZXMC3F31DN8TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000350
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.88 грн
5+
37.48 грн
25+
33.67 грн
39+
25.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 469 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
4,5/-7А(1643483)
Опір в стані провідності
0,024/0,046Ом(1644058)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,151 g
 
Транзистори багатоканальні ZXMC3F31DN8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000350
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.88 грн
5+
37.48 грн
25+
33.67 грн
39+
25.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 469 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
4,5/-7А
Опір в стані провідності
0,024/0,046Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,151 g