Транзисторы многоканальные ZXMC6A09DN8TA

 
ZXMC6A09DN8TA
 
Артикул: 000354
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
145.60 грн
10+
119.63 грн
13+
82.64 грн
34+
77.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
60/-60В(1596127)
Струм стока
4,8/-5,1А(1643485)
Опір в стані провідності
0,045/0,055Ом(1644061)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2,1Вт(1487305)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные ZXMC6A09DN8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000354
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 2,1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
145.60 грн
10+
119.63 грн
13+
82.64 грн
34+
77.91 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
60/-60В
Струм стока
4,8/-5,1А
Опір в стані провідності
0,045/0,055Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g