0 0 0
  7. ZXMHC10A07N8TC

Транзистори багатоканальні ZXMHC10A07N8TC

 
ZXMHC10A07N8TC
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000358
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.73 грн
10+
72.82 грн
20+
51.68 грн
53+
48.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2123 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
100/-100В(1596093)
Струм стока
0,9/-0,7А(1740145)
Опір в стані провідності
0,9/1,45Ом(1740146)
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2(1479109)
Потужність розсіювання
0,87Вт(1742071)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge(1810711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,162 g
 
Транзистори багатоканальні ZXMHC10A07N8TC
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000358
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 100/-100В; 0,9/-0,7А; 0,87Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.73 грн
10+
72.82 грн
20+
51.68 грн
53+
48.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2123 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
100/-100В
Струм стока
0,9/-0,7А
Опір в стані провідності
0,9/1,45Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,87Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,162 g