0 0 0
  7. ZXMHC3F381N8TC

Транзистори багатоканальні ZXMHC3F381N8TC

 
ZXMHC3F381N8TC
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401741
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.41 грн
10+
43.52 грн
29+
34.55 грн
79+
32.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
3,98/-3,36А(1810558)
Опір в стані провідності
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2(1479109)
Потужність розсіювання
0,87Вт(1742071)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge(1810711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
22,9...-19,6А(1810557)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні ZXMHC3F381N8TC
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401741
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
52.41 грн
10+
43.52 грн
29+
34.55 грн
79+
32.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
3,98/-3,36А
Опір в стані провідності
33мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,87Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
22,9...-19,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g