0 0 0
  7. ZXMHC6A07T8TA

Транзистори багатоканальні ZXMHC6A07T8TA

 
ZXMHC6A07T8TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000359
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.03 грн
5+
98.52 грн
12+
85.81 грн
32+
81.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2790 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223-8(1645007)
Напруга сток-джерело
60/-60В(1596127)
Струм стока
1,4/-1,2А(1645008)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2(1479109)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge(1810711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,134 g
 
Транзистори багатоканальні ZXMHC6A07T8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000359
Транзистор: N/P-MOSFET x2; польовий; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.03 грн
5+
98.52 грн
12+
85.81 грн
32+
81.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2790 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223-8
Напруга сток-джерело
60/-60В
Струм стока
1,4/-1,2А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
MOSFET H-Bridge
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,134 g