Транзистори з каналом N SMD ZXMN10A11GTA

 
ZXMN10A11GTA
 
Артикул: 077790
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.31 грн
5+
34.35 грн
25+
30.20 грн
39+
26.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 344 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
1,9А(1479102)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,164 g
 
Транзистори з каналом N SMD ZXMN10A11GTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077790
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.31 грн
5+
34.35 грн
25+
30.20 грн
39+
26.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 344 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
1,9А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,164 g