0 0 0
  8. ZXMN10B08E6TA

Транзистори з каналом N SMD ZXMN10B08E6TA

 
ZXMN10B08E6TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077793
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.03 грн
39+
25.74 грн
106+
24.31 грн
500+
23.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
1,5А(1492350)
Опір в стані провідності
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом N SMD ZXMN10B08E6TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077793
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.03 грн
39+
25.74 грн
106+
24.31 грн
500+
23.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
1,5А
Опір в стані провідності
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g