0 0 0
  8. ZXMN2F30FHQTA

Транзистори з каналом N SMD ZXMN2F30FHQTA

 
ZXMN2F30FHQTA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077796
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.31 грн
25+
12.08 грн
100+
10.65 грн
104+
9.53 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
4,1А(1441393)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,96Вт(1741917)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD ZXMN2F30FHQTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077796
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.31 грн
25+
12.08 грн
100+
10.65 грн
104+
9.53 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
4,1А
Опір в стані провідності
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g