Транзистори багатоканальні ZXMN6A11DN8TA

 
ZXMN6A11DN8TA
 
Артикул: 000360
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.97 грн
41+
24.72 грн
111+
23.40 грн
5000+
22.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 41 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
2,6А(1479113)
Опір в стані провідності
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,232 g
 
Транзистори багатоканальні ZXMN6A11DN8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000360
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.97 грн
41+
24.72 грн
111+
23.40 грн
5000+
22.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 41 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
2,6А
Опір в стані провідності
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,232 g