0 0 0
  8. DI2A7N70D1K

Транзистори з каналом N SMD DI2A7N70D1K

 
DI2A7N70D1K
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877713
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 1,7А; Idm: 6А; 34,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.70 грн
5+
34.50 грн
25+
28.75 грн
40+
25.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252AA(1492361)
Напруга сток-джерело
700В(1441588)
Струм стока
1,7А(1441494)
Опір в стані провідності
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
34,4Вт(1993138)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
5,8нКл(1712709)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
6А(1790199)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,433 g
 
Транзистори з каналом N SMD DI2A7N70D1K
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877713
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 1,7А; Idm: 6А; 34,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.70 грн
5+
34.50 грн
25+
28.75 грн
40+
25.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252AA
Напруга сток-джерело
700В
Струм стока
1,7А
Опір в стані провідності
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
34,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
5,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,433 g