0 0 0
  7. DI2A8N03PWK2

Транзистори багатоканальні DI2A8N03PWK2

 
DI2A8N03PWK2
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 887678
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; Idm: 12А; 1,4Вт; QFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
45.59 грн
5+
21.02 грн
25+
9.58 грн
100+
8.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
QFN2X2(1501537)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
0,102Ом(1790182)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,4Вт(1449373)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
6,8нКл(1479391)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g
 
Транзистори багатоканальні DI2A8N03PWK2
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 887678
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; Idm: 12А; 1,4Вт; QFN2X2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
45.59 грн
5+
21.02 грн
25+
9.58 грн
100+
8.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
QFN2X2
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
0,102Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
6,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g