0 0 0
  8. DI5A7N65D1K

Транзистори з каналом N SMD DI5A7N65D1K

 
DI5A7N65D1K
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877705
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.24 грн
5+
87.85 грн
15+
68.68 грн
40+
64.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252AA(1492361)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
3,6А(1441602)
Опір в стані провідності
0,43Ом(1758483)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
18,4нКл(1610001)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,433 g
 
Транзистори з каналом N SMD DI5A7N65D1K
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877705
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.24 грн
5+
87.85 грн
15+
68.68 грн
40+
64.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252AA
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
3,6А
Опір в стані провідності
0,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
18,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,433 g