0 0 0
  8. DI7A5N65D2K

Транзистори з каналом N SMD DI7A5N65D2K

 
DI7A5N65D2K
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877706
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
113.41 грн
5+
102.23 грн
13+
79.07 грн
35+
75.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263AB(1478912)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
4,7А(1479142)
Опір в стані провідності
0,43Ом(1758483)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
18,4нКл(1610001)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,125 g
 
Транзистори з каналом N SMD DI7A5N65D2K
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877706
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
113.41 грн
5+
102.23 грн
13+
79.07 грн
35+
75.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263AB
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
4,7А
Опір в стані провідності
0,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
18,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,125 g