0 0 0
  8. DI7A6N10SQ

Транзистори з каналом N SMD DI7A6N10SQ

 
DI7A6N10SQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877710
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
5+
31.63 грн
25+
28.43 грн
45+
22.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
7,6А(1479167)
Опір в стані провідності
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори з каналом N SMD DI7A6N10SQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877710
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.10 грн
5+
31.63 грн
25+
28.43 грн
45+
22.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
7,6А
Опір в стані провідності
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g