Транзистори з каналом N SMD MMBT7002KDW

 
MMBT7002KDW
 
Артикул: 709264
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.51 грн
100+
3.15 грн
400+
2.51 грн
1100+
2.38 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,3А(1644067)
Опір в стані провідності
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,44нКл(1642919)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g
 
Транзистори з каналом N SMD MMBT7002KDW
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 709264
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.51 грн
100+
3.15 грн
400+
2.51 грн
1100+
2.38 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,3А
Опір в стані провідності
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,44нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g