Транзистори з каналом N SMD MMFTN138K

 
MMFTN138K
 
Артикул: 877715
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 350мВт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
16.77 грн
5+
8.63 грн
25+
4.92 грн
100+
2.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,36А(1702187)
Опір в стані провідності
6,5Ом(1622290)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,35Вт(1701891)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,3нКл(1512595)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2А(1709882)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g
 
Транзистори з каналом N SMD MMFTN138K
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877715
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 360мА; Idm: 1,2А; 350мВт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
16.77 грн
5+
8.63 грн
25+
4.92 грн
100+
2.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,36А
Опір в стані провідності
6,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,35Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,3нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,039 g