Транзистори з каналом N SMD MMFTN6190KDW

 
MMFTN6190KDW
 
Артикул: 709269
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
10.30 грн
100+
9.10 грн
115+
8.97 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
(1441586)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2нКл(1609793)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
9,6А(1759124)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,03 g
 
Транзистори з каналом N SMD MMFTN6190KDW
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 709269
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
10.30 грн
100+
9.10 грн
115+
8.97 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
9,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,03 g