0 0 0
  7. TGL200CU10

Діоди інші TGL200CU10

 
TGL200CU10
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 412179
Діод: TVS+FRD; 1кВ; 300Вт; DO213AA; 75нс; Ifsm: 1А; ролик,cтрічка
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.40 грн
25+
7.81 грн
100+
6.87 грн
160+
6.32 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO213AA(1497074)
Допуск
±10%(1819340)
Зворотна напруга макс.
1кВ(1439553)
Час готовності
75нс(1440086)
Струм в імпульсі макс.
1А(1440649)
Напруга пробою
200В(1440642)
Струм витоку
5мкА(1501362)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
TVS+FRD(1810220)
Властивості напівпровідникових елементів
ultrafast switching(1497038) snubber diode(1810219)
Peak pulse power dissipation
0,3кВт(1912999)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,12 g
 
Діоди інші TGL200CU10
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 412179
Діод: TVS+FRD; 1кВ; 300Вт; DO213AA; 75нс; Ifsm: 1А; ролик,cтрічка
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.40 грн
25+
7.81 грн
100+
6.87 грн
160+
6.32 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DO213AA
Допуск
±10%
Зворотна напруга макс.
1кВ
Час готовності
75нс
Струм в імпульсі макс.
1А
Напруга пробою
200В
Струм витоку
5мкА
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
TVS+FRD
Властивості напівпровідникових елементів
ultrafast switching
Властивості напівпровідникових елементів
snubber diode
Peak pulse power dissipation
0,3кВт
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,12 g