0 0 0
  8. G2R1000MT17D

Транзистори з каналом N THT G2R1000MT17D

 
G2R1000MT17D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451832
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 53Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
508.15 грн
3+
353.60 грн
8+
334.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
53Вт(1740746)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SiC(1591568) G2R™(1833100)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,085 g
 
Транзистори з каналом N THT G2R1000MT17D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451832
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 53Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
508.15 грн
3+
353.60 грн
8+
334.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
53Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SiC
Технологія
G2R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,085 g