0 0 0
  8. G3R160MT12D

Транзистори з каналом N THT G3R160MT12D

 
G3R160MT12D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451833
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
628.39 грн
3+
438.77 грн
7+
414.96 грн
600+
399.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 926 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
123Вт(1741841)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
28нКл(1479173)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,21 g
 
Транзистори з каналом N THT G3R160MT12D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451833
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
628.39 грн
3+
438.77 грн
7+
414.96 грн
600+
399.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 926 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
123Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
28нКл
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,21 g