0 0 0
  8. G3R160MT17D

Транзистори з каналом N THT G3R160MT17D

 
G3R160MT17D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451834
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
889.85 грн
2+
761.84 грн
4+
720.47 грн
120+
695.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
175Вт(1702078)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,07 g
 
Транзистори з каналом N THT G3R160MT17D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451834
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
889.85 грн
2+
761.84 грн
4+
720.47 грн
120+
695.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
175Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
21нКл
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,07 g