0 0 0
  8. G3R350MT12J

Транзисторы с каналом N SMD G3R350MT12J

 
G3R350MT12J
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451828
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.74 грн
3+
349.59 грн
8+
330.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 960 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263-7(1492235)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,35Ом(1492258)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,36 g
 
Транзисторы с каналом N SMD G3R350MT12J
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451828
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.74 грн
3+
349.59 грн
8+
330.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 960 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
SMD
Корпус
TO263-7
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
12нКл
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,36 g