0 0 0
  8. G3R45MT17D

Транзистори з каналом N THT G3R45MT17D

 
G3R45MT17D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451842
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 464.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 18 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
43А(1479345)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
438Вт(1833098)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
182нКл(1757706)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,04 g
 
Транзистори з каналом N THT G3R45MT17D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451842
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 464.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 18 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
43А
Опір в стані провідності
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
438Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
182нКл
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,04 g