0 0 0
  8. G3R45MT17K

Транзистори з каналом N THT G3R45MT17K

 
G3R45MT17K
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451843
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 358.23 грн
2+
2 229.50 грн
30+
2 198.70 грн
120+
2 144.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 375 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,7кВ(1593807)
Струм стока
43А(1479345)
Опір в стані провідності
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
438Вт(1833098)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
182нКл(1757706)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
160А(1741661)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,69 g
 
Транзистори з каналом N THT G3R45MT17K
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451843
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
2 358.23 грн
2+
2 229.50 грн
30+
2 198.70 грн
120+
2 144.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 375 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,7кВ
Струм стока
43А
Опір в стані провідності
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
438Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
182нКл
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
160А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,69 g