0 0 0
  8. G3R75MT12D

Транзистори з каналом N THT G3R75MT12D

 
G3R75MT12D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451844
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
926.54 грн
2+
756.37 грн
4+
715.00 грн
30+
687.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 281 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
29А(1479295)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
207Вт(1833095)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
54нКл(1479413)
Технологія
SiC(1591568) G3R™(1832906)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...15В(1981523)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,07 g
 
Транзистори з каналом N THT G3R75MT12D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451844
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
926.54 грн
2+
756.37 грн
4+
715.00 грн
30+
687.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 281 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
29А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
207Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
54нКл
Технологія
SiC
Технологія
G3R™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...15В
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,07 g