0 0 0
  6. GD2X100MPS06N

Діодні модулі GD2X100MPS06N

 
GD2X100MPS06N
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 621601
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 545.13 грн
3+
3 489.35 грн
10+
3 436.76 грн
25+
3 408.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 84 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Корпус
SOT227B(1440097)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Струм провідності макс.
231А(1591986)
Пряма напруга макс.
1,8В(1612412)
Струм провідності
108А x2(1948701)
Структура напівпровідника
подвійна незалежна(1440098)
Час готовності
10нс(1440298)
Струм в імпульсі макс.
440А(1705757)
Вид упаковки
туба(1443467)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
діодний(1593875)
Властивості напівпровідникових елементів
MPS(1711889)
Технологія
SiC(1591568)
Додаткова інформація: Маса брутто: 35,52 g
 
Діодні модулі GD2X100MPS06N
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 621601
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
3 545.13 грн
3+
3 489.35 грн
10+
3 436.76 грн
25+
3 408.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 84 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Корпус
SOT227B
Зворотна напруга макс.
650В
Струм провідності макс.
231А
Пряма напруга макс.
1,8В
Струм провідності
108А x2
Структура напівпровідника
подвійна незалежна
Час готовності
10нс
Струм в імпульсі макс.
440А
Вид упаковки
туба
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
діодний
Властивості напівпровідникових елементів
MPS
Технологія
SiC
Додаткова інформація: Маса брутто: 35,52 g