0 0 0
  7. GE2X10MPS06D

Діоди Шотки THT GE2X10MPS06D

 
GE2X10MPS06D
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 452319
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; туба
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
508.50 грн
3+
356.74 грн
8+
337.67 грн
60+
336.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Зворотна напруга макс.
650В(1440613)
Струм провідності макс.
20А(1440134)
Пряма напруга макс.
1,25В(1594135)
Струм провідності
10А x2(1948661)
Структура напівпровідника
подвійний(1600771) спільний катод(1497057)
Струм в імпульсі макс.
44А(1440565)
Вид упаковки
туба(1443467)
Тип діода
випрямний Шотткі(1439524)
Властивості напівпровідникових елементів
MPS(1711889)
Технологія
SiC(1591568)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,215 g
 
Діоди Шотки THT GE2X10MPS06D
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 452319
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; туба
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
508.50 грн
3+
356.74 грн
8+
337.67 грн
60+
336.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
GeneSiC Semiconductor Inc.
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Зворотна напруга макс.
650В
Струм провідності макс.
20А
Пряма напруга макс.
1,25В
Струм провідності
10А x2
Структура напівпровідника
подвійний
Структура напівпровідника
спільний катод
Струм в імпульсі макс.
44А
Вид упаковки
туба
Тип діода
випрямний Шотткі
Властивості напівпровідникових елементів
MPS
Технологія
SiC
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,215 g