0 0 0
  8. BSC009NE2LSATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC009NE2LSATMA1

 
BSC009NE2LSATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075553
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.67 грн
5+
144.60 грн
9+
125.53 грн
23+
118.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
0,9мОм(1603194)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,144 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC009NE2LSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075553
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
163.67 грн
5+
144.60 грн
9+
125.53 грн
23+
118.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
0,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,144 g