0 0 0
  8. BSC016N03LSGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC016N03LSGATMA1

 
BSC016N03LSGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075565
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.73 грн
5+
87.40 грн
12+
84.22 грн
25+
81.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
1,6мОм(1479601)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,231 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC016N03LSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075565
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.73 грн
5+
87.40 грн
12+
84.22 грн
25+
81.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
1,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,231 g