Транзистори з каналом N SMD BSC030N04NSGATMA1

 
BSC030N04NSGATMA1
 
Артикул: 1169001
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
45.45 грн
25+
36.47 грн
32+
31.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
3мОм(1479566)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC030N04NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169001
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
45.45 грн
25+
36.47 грн
32+
31.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g