0 0 0
  8. BSC050NE2LSATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC050NE2LSATMA1

 
BSC050NE2LSATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075617
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 39А; 28Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
3+
40.28 грн
10+
33.93 грн
33+
30.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
39А(1479333)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
28Вт(1520807)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,141 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC050NE2LSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075617
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 39А; 28Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
3+
40.28 грн
10+
33.93 грн
33+
30.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
39А
Опір в стані провідності
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
28Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,141 g