0 0 0
  8. BSC080N03MSGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC080N03MSGATMA1

 
BSC080N03MSGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075635
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
32.02 грн
25+
28.29 грн
39+
25.38 грн
107+
24.00 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2546 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
53А(1479379)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,135 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC080N03MSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075635
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
32.02 грн
25+
28.29 грн
39+
25.38 грн
107+
24.00 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2546 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
53А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,135 g