0 0 0
  8. BSC100N06LS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC100N06LS3GATMA1

 
BSC100N06LS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075656
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
103.29 грн
5+
61.02 грн
22+
46.88 грн
58+
44.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3470 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
36А(1479316)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,132 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC100N06LS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075656
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
103.29 грн
5+
61.02 грн
22+
46.88 грн
58+
44.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3470 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
36А
Опір в стані провідності
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
45нКл
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,132 g