0 0 0
  8. BSC123N08NS3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSC123N08NS3GATMA1

 
BSC123N08NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075664
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
109.40 грн
10+
90.51 грн
18+
55.88 грн
50+
52.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2880 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
55А(1441569)
Опір в стані провідності
12,3мОм(1501024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
66Вт(1740777)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,151 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSC123N08NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075664
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
109.40 грн
10+
90.51 грн
18+
55.88 грн
50+
52.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2880 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
55А
Опір в стані провідності
12,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
66Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,151 g