0 0 0
  8. BSC190N15NS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC190N15NS3GATMA1

 
BSC190N15NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075671
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
161.76 грн
3+
144.23 грн
8+
133.87 грн
21+
126.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2154 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
19мОм(1441301)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,15 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC190N15NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075671
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
161.76 грн
3+
144.23 грн
8+
133.87 грн
21+
126.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2154 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
19мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,15 g