0 0 0
  8. BSC265N10LSFGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSC265N10LSFGATMA1

 
BSC265N10LSFGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169061
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.05 грн
3+
71.08 грн
10+
64.69 грн
19+
54.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
26,5мОм(1479324)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 2(1596132)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,229 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSC265N10LSFGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169061
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.05 грн
3+
71.08 грн
10+
64.69 грн
19+
54.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
26,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 2
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,229 g