0 0 0
  8. BSO080P03SHXUMA1

Транзистори з каналом P SMD BSO080P03SHXUMA1

 
BSO080P03SHXUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140518
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.49 грн
3+
108.08 грн
10+
97.03 грн
12+
84.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-DSO-8(1596126)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-12,6А(1600700)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,79Вт(1741918)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ P(1600694)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,127 g
 
Транзистори з каналом P SMD BSO080P03SHXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 140518
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.49 грн
3+
108.08 грн
10+
97.03 грн
12+
84.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-DSO-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-12,6А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,79Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ P
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,127 g