0 0 0
  8. BSP149H6327XTSA1

Транзистори з каналом N SMD BSP149H6327XTSA1

 
BSP149H6327XTSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075716
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,53А; Idm: 2,6А; 1,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
86.60 грн
5+
51.64 грн
23+
45.29 грн
62+
42.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1034 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
0,53А(1643338)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,8Вт(1449543)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
SIPMOS™(1596125)
Вид каналу
збіднений(1536799)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2,6А(1810483)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,147 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSP149H6327XTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075716
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,53А; Idm: 2,6А; 1,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
86.60 грн
5+
51.64 грн
23+
45.29 грн
62+
42.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1034 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
0,53А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,8Вт
Поляризація
польовий
Технологія
SIPMOS™
Вид каналу
збіднений
Струм стоку в імпульсі
2,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,147 g