0 0 0
  8. BSS123IXTSA1

Транзистори з каналом N SMD BSS123IXTSA1

 
BSS123IXTSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 600645
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.03 грн
50+
3.64 грн
250+
3.22 грн
360+
2.80 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,15А(1645009)
Опір в стані провідності
10Ом(1441657)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
0,63нКл(1609700)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,77А(1930295)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSS123IXTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 600645
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.03 грн
50+
3.64 грн
250+
3.22 грн
360+
2.80 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,15А
Опір в стані провідності
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
0,63нКл
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,77А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g