Транзистори з каналом N SMD BSS806NEH6327XTSA1

 
BSS806NEH6327XTSA1
 
Артикул: 075782
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
7.81 грн
100+
6.69 грн
211+
4.70 грн
578+
4.46 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
2,3А(1441508)
Опір в стані провідності
82мОм(1479274)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 2(1596132)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSS806NEH6327XTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075782
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
7.81 грн
100+
6.69 грн
211+
4.70 грн
578+
4.46 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 1
Кількість: 3000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
2,3А
Опір в стані провідності
82мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 2
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g