0 0 0
  8. BSZ018NE2LSATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ018NE2LSATMA1

 
BSZ018NE2LSATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075789
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
106.78 грн
10+
88.45 грн
17+
60.56 грн
45+
57.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4974 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,072 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ018NE2LSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075789
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
106.78 грн
10+
88.45 грн
17+
60.56 грн
45+
57.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4974 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,072 g