Транзистори з каналом N SMD BSZ025N04LSATMA1

 
BSZ025N04LSATMA1
 
Артикул: 1169003
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
84.84 грн
5+
73.74 грн
20+
51.54 грн
53+
48.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
2,5мОм(1479571)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ025N04LSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169003
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
84.84 грн
5+
73.74 грн
20+
51.54 грн
53+
48.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
2,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g