0 0 0
  8. BSZ086P03NS3EGATMA

Транзистори з каналом P SMD BSZ086P03NS3EGATMA

 
BSZ086P03NS3EGATMA
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170365
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.28 грн
3+
58.67 грн
10+
50.66 грн
23+
44.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-40А(1478950)
Опір в стані провідності
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ P3(1600690)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,07 g
 
Транзистори з каналом P SMD BSZ086P03NS3EGATMA
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170365
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.28 грн
3+
58.67 грн
10+
50.66 грн
23+
44.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-40А
Опір в стані провідності
8,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ P3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,07 g