0 0 0
  8. BSZ088N03MSGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ088N03MSGATMA1

 
BSZ088N03MSGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075812
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.58 грн
25+
33.63 грн
42+
23.43 грн
116+
22.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
8,8мОм(1479486)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ088N03MSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075812
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.58 грн
25+
33.63 грн
42+
23.43 грн
116+
22.15 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
8,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g