0 0 0
  8. BSZ097N04LSGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ097N04LSGATMA1

 
BSZ097N04LSGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075819
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.34 грн
5+
38.25 грн
25+
33.78 грн
34+
29.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4970 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
9,7мОм(1479524)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,061 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ097N04LSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075819
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.34 грн
5+
38.25 грн
25+
33.78 грн
34+
29.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4970 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
9,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,061 g