0 0 0
  8. BSZ100N03MSGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ100N03MSGATMA1

 
BSZ100N03MSGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075824
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.58 грн
25+
28.60 грн
50+
19.92 грн
136+
18.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
39А(1479333)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ100N03MSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075824
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.58 грн
25+
28.60 грн
50+
19.92 грн
136+
18.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
39А
Опір в стані провідності
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g